Strona 1
PTW 1
Pytanie 1
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
Czochralskiego
utlenianie termiczne
CVD
Pytanie 2
Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie
większa
taka sama
mniejsza
Pytanie 3
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
energii wiązki
powierzchni podłoża
dozy jonów
Pytanie 4
W litografii stosuje się rezysty
pozytywowe
metaliczne
negatywowe
Pytanie 5
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy
cynk
krzem
german
Pytanie 6
Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja
dziur w paśmie przewodnictwa
elektronów w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie walencyjnym
Pytanie 7
Kryształy objętościowe można wytwarzać
z PECVD
ze stopu
metodą LPE
Pytanie 8
Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu
SiGe
Si
SiC