Fiszki
PTW 1
Test w formie fiszek
Ilość pytań: 85
Rozwiązywany: 3045 razy
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
utlenianie termiczne
Czochralskiego
CVD
utlenianie termiczne
CVD
Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie
taka sama
większa
mniejsza
mniejsza
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
dozy jonów
energii wiązki
powierzchni podłoża
dozy jonów
energii wiązki
W litografii stosuje się rezysty
negatywowe
metaliczne
pozytywowe
negatywowe
pozytywowe
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy
krzem
german
cynk
krzem
german
Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja
dziur w paśmie przewodnictwa
dziur w paśmie walencyjnym
elektronów w paśmie walencyjnym
Kryształy objętościowe można wytwarzać
metodą LPE
ze stopu
z PECVD
ze stopu
Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu
Si
SiGe
SiC
SiGe
SiC
Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami
AFM
MOVPE
MBE
MOVPE
MBE
Większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą
Birdgmana
MOVPE
Czochralskiego
Birdgmana
Czochralskiego
Do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną zaliczamy
SiC
GaN
GaAs
SiC
GaN
Węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany
do wytwarzania procesorów
do wytwarzania laserów ultrafioletowych
do wytwarzania tranzystorów mocy
do wytwarzania tranzystorów mocy
Warstwy Si3N4 stosuje się jako
ścieżki przewodzące układów scalonych
pokrycia narzędziowe
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycia narzędziowe
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
<900C
&rt;1300C
900-1200C
900-1200C
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest
głębokość złącza
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
koncentracja domieszki na powierzchni podłoża
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
Wygrzewanie poimplantancyjne stosuje się w celu
regeneracji struktury krystalicznej
zmiany szerokości przerwy wzbronionej
aktywacji domieszki
regeneracji struktury krystalicznej
aktywacji domieszki
Z wymienionych technik litograficznych najemniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
litografię DVC
elektronolitografię
jonolitografię
elektronolitografię
Warstwa trawi się anizotropowo
tylko prostopadle do powierzchni
z jednakową szybkością w różnych kierunkach
z różną szybkością w różnych kierunkach
z różną szybkością w różnych kierunkach
W półprzewodniku domieszkowanym typu n występuje duża koncentracja a) głębokich poziomów w paśmie zabronionym
domieszek donorowych
elektronów w paśmie walencyjnym
głębokich poziomów w paśmie zabronionym
domieszek donorowych
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy
pasmo przewodnictwa
obszar złącza
kontakty prostujące
pasmo przewodnictwa
obszar złącza