Fiszki
PTW 1
Test w formie fiszek
Ilość pytań: 85
Rozwiązywany: 3053 razy
Do półprzewodników złożonych zaliczamy
diament
fosforek indu
węglik krzemu
fosforek indu
węglik krzemu
W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja
elektronów w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie walencyjnym
elektronów w paśmie przewodnictwa
dziur w paśmie walencyjnym
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy:
przerwę wzbroniona
pasmo przewodnictwa
pasmo walencyjne
przerwę wzbroniona
pasmo przewodnictwa
pasmo walencyjne
Większość podłoży półprzewodników złożonych wytwarzana jest metodą
Birdgmana
Czochralskiego
MOVPE
strefowe topnienie i krystalizacja metodą przesuwającej się strefy topnienia
Birdgmana
Czochralskiego
strefowe topnienie i krystalizacja metodą przesuwającej się strefy topnienia
Podłoża do wytwarzania przyrządów elektronicznych muszę być materiałami
Izolatorami
monokryształami
amorficznymi
monokryształami
amorficznymi
Heteropitaksja to osadzenie warstwy arsenku galu na podłożu
SiC
SiGe
Si
SiC
SiGe
Si
W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się
wodór
gazy
związki metolgraficzne
związki metaloorganiczne
wodne roztwory
związki metaloorganiczne
Proces dyfuzji typowo prowadzony jest w temperaturze
<900
&rt;1300
~`1000C
~`1000C
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
dozy jonów
powierzchni podłoża
energii procesu (wiązki)
dozy jonów
energii procesu (wiązki)
Przy mokrym trawieniu stosuje się
zjonizowane gazy
domieszki
roztwory reagujące z trawionym materiałem
roztwory reagujące z trawionym materiałem
Warstwa trawi się izotropowo tj.:
równomiernie we wszystkich kierunkach
z różną szybkością w różnych kierunkach
równolegle do powierzchni
równomiernie we wszystkich kierunkach
Techniką CVD można osadzać
warstwo monokrystaliczne
dielektryki
metale
dielektryki
Technika PVD pozwala bazuje na:
reakcji chemicznej
odparowywaniu metalu w próżni
jonowym rozpylaniu target
odparowywaniu metalu w próżni
jonowym rozpylaniu target
Osadzanie elektrolityczne nie umożliwia wytwarzania
warstw półprzewodników
mikrometrowych warstw metali
nanometrowych warstw dielektrycznych
warstw półprzewodników
nanometrowych warstw dielektrycznych
Kontakt Schotky’ego półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będzie:
mniejsza
taka sama
większa
większa
Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne:
Al2O3
BeO
AlN
Al2O3
BeO
AlN
Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:
500 um
0,05 um
5 um
5 um
Typowa szerokość ścieżki grubowarstwowej:
300 um
0,3 um
0,2 mm
30 mm
300 um
0,2 mm
Składnik podstawowy past decyduje o:
właściwościach elektrycznych
przyczepności
lepkości pasty
właściwościach elektrycznych
Rozrzuty wartości rezystancji rezystorów grubowarstwowych po wypaleniu (bez korekcji) wynoszą:
+/- 1%
+/- 20%
+/- 0.1%
+/- 100%
+/- 20%