Wyszukaj
Zaloguj / zarejestruj się
Jeśli masz już konto, możesz się zalogować.
Jeśli nie masz konta, zarejestruj nowe podając nazwę użytkownika, adres email i hasło.
Formularz kontaktowy
Memorizer+
Wykup dostęp
Ta funkcja jest dostępna dla użytkowników, którzy wykupili plan Memorizer+
Fiszki
Podstawy Mikroelektroniki zerówka
Test w formie fiszek Mikroelektronika test prawda/fałsz
Ilość pytań: 31 Rozwiązywany: 2730 razy
Prądy drenów tranzystorów MOS tego samego typu będą w stosunku 1:3, gdy w stosunku 1:3 będą ich długości kanałów.
prawda
fałsz
W układach bipolarnych diody realizuje się jako tranzystory BJT mające zwarty kolektor z bazą
prawda
fałsz
Testowanie prądowe polega na obserwacji prądu zasilania w stanie ustalonym.
fałsz
prawda
BJT mają większą transkonduktancję niż MOS
prawda
fałsz
Prądy drenów tranzystorów MOS tego samego typu będą w stosunku 1:3, gdy w stosunku 1:3 będą ich powierzchnie kanałów.
prawda
fałsz
Zegarem 2-fazowym o nie nakładających się fazach nazywamy 2 sygnały zegarowe w których nie nakładają się czasy fazy "1"
prawda
fałsz
W cyfrowych układach CMOS z wyspą typu n wyspę polaryzuje się najwyższym napięciem dodatnim występującym w układzie.
fałsz
prawda
W układach cyfrowych CMOS z wyspą typu p wyspy nie wymagają polaryzacji.
fałsz
prawda
Pamięci dynamiczne RAM nie wymagają regularnego odświeżania zawartości.
prawda
fałsz
Jeśl temperatura tranzystora BJT wzrasta, a prąd kolektora const. to napięcie na złączu e-b maleje w przybliżeniu liniowo z temperaturą.
fałsz
prawda
Podłożowe tranzystory bipolarne p-n-p mają bazę zawsze połączoną z podłożem układu.
prawda
fałsz
Tranzystory MOS są bardziej niż bipolarne narażone na przebicie elektryczno-cieplne
prawda
fałsz
Ze wzrostem temperatury maleje ruchliwość nośników w kanale tranzystora MOS.
prawda
fałsz
Maksymalna wartość pojemności jaką można wykonać w USC jest rzędu nanofaradów.
prawda
fałsz
Układy scalone mogą mieć małe rozrzuty parametrów, dzięki temu, że konstuuje się je tak, aby były niewrażliwe na rozrzuty globalne.
prawda
fałsz
W układach typi DOMINO bramki oddziela się wzmacniaczami różnicowymi
prawda
fałsz
Układy scalone mogą mieć małe rozrzuty parametrów, dzięki temu że wszystkie rozrzuty produkcyjne w mikroelektronice są małe.
fałsz
prawda
Resystancje rezystorów scalonych bardzo słabo zależą od temperatury.
prawda
fałsz
Ze wzrostem temperatury roślnie ruchliwość nośników w kanale MOSa.
prawda
fałsz
Wzmocnienie napięciowe wzmacniacza różnicowego maleje ze wzrostem prądu zasilającego.
fałsz
prawda
Cześć!
Wykryliśmy, że blokujesz reklamy na naszej stronie.
Reklamy, jak zapewne wiesz, pozwalają na utrzymanie i rozwój serwisu. W związku z tym prosimy Cię o ich odblokowanie by móc kontynuować naukę.