Prądy drenów tranzystorów MOS tego samego typu będą w stosunku 1:3, gdy w stosunku 1:3 będą ich długości kanałów.

W układach bipolarnych diody realizuje się jako tranzystory BJT mające zwarty kolektor z bazą

Testowanie prądowe polega na obserwacji prądu zasilania w stanie ustalonym.

BJT mają większą transkonduktancję niż MOS

Prądy drenów tranzystorów MOS tego samego typu będą w stosunku 1:3, gdy w stosunku 1:3 będą ich powierzchnie kanałów.

Zegarem 2-fazowym o nie nakładających się fazach nazywamy 2 sygnały zegarowe w których nie nakładają się czasy fazy "1"

W cyfrowych układach CMOS z wyspą typu n wyspę polaryzuje się najwyższym napięciem dodatnim występującym w układzie.

W układach cyfrowych CMOS z wyspą typu p wyspy nie wymagają polaryzacji.

Pamięci dynamiczne RAM nie wymagają regularnego odświeżania zawartości.

Jeśl temperatura tranzystora BJT wzrasta, a prąd kolektora const. to napięcie na złączu e-b maleje w przybliżeniu liniowo z temperaturą.

Podłożowe tranzystory bipolarne p-n-p mają bazę zawsze połączoną z podłożem układu.

Tranzystory MOS są bardziej niż bipolarne narażone na przebicie elektryczno-cieplne

Ze wzrostem temperatury maleje ruchliwość nośników w kanale tranzystora MOS.

Maksymalna wartość pojemności jaką można wykonać w USC jest rzędu nanofaradów.

Układy scalone mogą mieć małe rozrzuty parametrów, dzięki temu, że konstuuje się je tak, aby były niewrażliwe na rozrzuty globalne.

W układach typi DOMINO bramki oddziela się wzmacniaczami różnicowymi

Układy scalone mogą mieć małe rozrzuty parametrów, dzięki temu że wszystkie rozrzuty produkcyjne w mikroelektronice są małe.

Resystancje rezystorów scalonych bardzo słabo zależą od temperatury.

Ze wzrostem temperatury roślnie ruchliwość nośników w kanale MOSa.

Wzmocnienie napięciowe wzmacniacza różnicowego maleje ze wzrostem prądu zasilającego.

Zegarem dwufazowym o fazach nienakładających się, nazywamy 2. sygnały zegarowe w których nie nakładają się w czasie fazy '0'.

Rezystancja rezystora scalonego maleje, gdy temperatura rośnie

Statyczne bramki CMOS pobierają prąd w postaci krótkich impulsów w czasie zmiany stanów.

W układach bipolarnych realizuje się diody jako tranzystory BJT mające emiter zwarty z bazą.

Pamięci dynamiczne RAM wymagają regularnego odświeżania zawartości.

Układy źródeł napięcia odniesienia wytwarzają napięcie stałe bardzo mało zależne od temperatury i napięcia zasilania.

W układzie CMOS z wyspą p tranzystory n-kanałowę są wykoywane na podłożu typu n i nie wymagają wzajemnej izolacji.

Komórka dynamicznej pamięci CMOS składa się z 2. inwererów statycznych i 2. tranzystorów.

W układzie CMOS z wyspą typu n, trnazystory n-kanałowe wykonywane są na podłożu i nie wymagają wzajemnej izolacji.

Komórki standardowe można zestawiać "na styk", ponieważ mają jednakową wysokość rozmieszenia wyprowadzeń masy i zasilania

Gdy długości kanałów tranzystorów MOS maleją, to szybkość działania układów cyfrowych z tymi tranzystorami wzrasta.