Pamięci dynamiczne RAM wymagają regularnego odświeżania zawartości.

Układy źródeł napięcia odniesienia wytwarzają napięcie stałe bardzo mało zależne od temperatury i napięcia zasilania.

W układzie CMOS z wyspą p tranzystory n-kanałowę są wykoywane na podłożu typu n i nie wymagają wzajemnej izolacji.

Komórka dynamicznej pamięci CMOS składa się z 2. inwererów statycznych i 2. tranzystorów.

W układzie CMOS z wyspą typu n, trnazystory n-kanałowe wykonywane są na podłożu i nie wymagają wzajemnej izolacji.

Komórki standardowe można zestawiać "na styk", ponieważ mają jednakową wysokość rozmieszenia wyprowadzeń masy i zasilania

Gdy długości kanałów tranzystorów MOS maleją, to szybkość działania układów cyfrowych z tymi tranzystorami wzrasta.