Test w formie fiszek Pytania na egzamin z fizyki II, Politechnika Wrocławska, Wydział Chemiczny. PWR
Ilość pytań: 89
Rozwiązywany: 5078 razy
Zakładamy sprawność transformatora wynosi 100%. Przez żarówkę o P=36W powinien płynąc prąd o Isk=3A. Warunek ten będzie spełniony, jeżeli przekładnia transformatora wynosi
n2/n1=12/220
n2/n1=3/222
n2/n1=108/220
n2/n1=36/220
n2/n1=12/220
Jeżeli próżniowy kondensator obwodu drgającego LC wypełnimy dielektrykiem o stałej dielektrycznej εr =4, to jego okres drgań:
czterokrotnie zmaleje
dwukrotnie zmaleje
dwukrotnie wzrośnie
czterokrotnie wzrośnie
dwukrotnie wzrośnie
Drgania natężenia prądu w obwodzie na rys.(R=0)
nie mają określonej częstotliwości
mają częstotliwość ƒ=1/(2π√LC)
mają częstotliwość ƒ=2π√LC
mają częstotliwość ƒ=1/2π*√L/C)
mają częstotliwość ƒ=1/(2π√LC)
W obwodzie przedst. na rys. opór indukcyjny jest równy oporowi pojemnościowemu. Natężenie skuteczne prądu zmiennego wynosi:
2LC * R^2
R^2+ Usk+1/2wC
Usk/R
żadna z powyższych odpowiedzi nie jest poprawna
Usk/R
Jeżeli w obwodzie przedst. na rys. doprowadzone napięcie ma częstotliwość taką, że zachodzi rezonans, to możemy wnioskować, że amplituda natężenia prądu ma wart:
ε0 /R*piR^2
pi*R^2*wL+wC
ε0 /R
wL+wC*R^2
ε0 /R
Chwilowe natężenie prądu natychmiast po zamknięciu obwodu wynosi:
0A
3A
2A
6/5 A
0A
Chwilowa szybkość zmian natężenia prądu natychmiast po zamknięciu obwodu wynosi:
3 A/s
6/5 A/s
0 A/s
2 A/s
3 A/s
Natężenie prądu po dostatecznie długim czasie od chwili zamknięcia obwodu wynosi:
2 A
6/5 A
3 A
0 A
2 A
Wew. długiego solenoidu umieszczono prostopadle do jego osi pętle z drutu a niemal przylegającą o ścian. Na zew. solenoid otoczono druga pętlą z drutu b, która ma r 2x większy niż pętla a. Jeżeli prąd w solenoidzie wzrasta i w pętli a wyindukuje się SEM=4V, to w pętli b
2 V
0 V
1 V
4 V
4 V
Prostokątna ramka o bokach a i b, wykonana z przewodnika o oporności R jest umieszczona prostopadła do linii jednorodnego pola magn. O indukcji B. Jeśli ramka przesuwa się, nie opuszczając pola, w kierunku równoległym do kierunku boku b z taka (stałą) prędk. , że przebywa odległ. x w czasie t, to w ramce płynie prąd o natężeniu:
Bax/Rt
zero
Ba(b+x)/Rt
Babx/Rt
zero
Na którym z poniższych wyk. przedst. Poprawnie zależność amplitudy natężenia prądu I0 od częstotliwości kątowej ω dla obwodu przedst. Na rys. gdzie (ω02=1/LC)
B
D
A
C
A
W obwodzie przedst. na rys. wartość napięcia na indukcyjność L = wart napięcia na pojemności C. Przesunięcie w fazie miedzy natężeniem prądu a napięciem miedzy punktami A i B wynosi
0
pi
+ pi/2
- pi/2
0
Natężenie skuteczne prądu w obwodzie przedst. w zad 346 wynosi:
U0/pi2
pi^2/2U0
U0/(R√2)
U0/2
U0/(R√2)
Aby dostroić odbiornik radiowy do obioru fal o dłg λ należy tak dobrać pojemność C i indukcyjność L o obwodzie drgającym odbiornika, żeby była spełniona równość:
2π√LC =c/λ
1/2π√LC=λ/c
2π√LC = λ/c
2π√LC=λc
2π√LC = λ/c
Jeżeli radiostacja pracuje na fali o dłg 50 m, to częstotliwość wynosi:
6 Hz
4 Mhz
6 kHz
6 MHZ
6 MHZ
Jeżeli ogrzewamy półprzewodnik samoistny, to możemy wnioskować, że rośnie:
liczba elektronów przerwodnictwa
liczba elektronów i dziur jednakowo
liczba elektronów i dziur, ale szybciej liczba dziur
liczba dziur
liczba elektronów i dziur jednakowo
Która z informacji o półprzew. nie jest prawdziwa?
oporność wlaściwa półprzewodnika samoistnego zależy od temperatury
w półprzewodniku samoistnym liczba swobodnych elektronów i dziur jest taka sama, natomiast w półprzewodniku domieszkowym różna
w półprzewodniku samoistnym nośnikami prądu są swobodne elektrony i dziury
w tej samej temp oporność właściwa półprzew. sam. jest na ogół < od oporności właściwej półprzew. domieszkowego
w tej samej temp oporność właściwa półprzew. sam. jest na ogół < od oporności właściwej półprzew. domieszkowego
Ze wzrostem temp. rośnie wart:
oporu elektrycznego półprzewodników
ciepła parowania cieczy
oporu elektrycznego roztworów wodnych zasad, soli i kwasów
ciśnienia pary nasyconej nad cieczą
ciśnienia pary nasyconej nad cieczą
Czy w obszarze przejściowym na granicy styku półprzewodników typu n i p jest wystarczająca różnica potencjałów?
występuje, ale tylko przy podgrzaniu złącza
Tak występuje, przy czym półprzewodnik typu n ma wyższy potencjał niż p
tak występuje, przy czym półprzewodnik typu p ma wyższy potencjał niż n
nie występuje, ponieważ liczba elektronów jest zawsze równa liczbie dziur
Tak występuje, przy czym półprzewodnik typu n ma wyższy potencjał niż p